第一百零五章 一扇全新的大门被打开了

    胡光凡走进这间大会议室，站在主席台上，目光从大家的身上扫过，轻轻的点了点头。

    沈灵月介绍道，“大家好，这是我们的老板胡光凡先生，大家欢迎！”

    会议室内响起热烈的掌声。

    待掌声提醒，胡光凡开始给大家讲话，身影非常的洪亮。

    “各位，首先欢迎加入宏达实业这个大集体，若干年之后你们一定会为今天的这个决定而感到高兴.....”

    慷慨激昂的说了几分钟，主要是给大家画了一个大饼，胡光凡道，“今天，我们的IGBT设计研发团队正式成立，现在我宣布任命！”

    IGBT设计研发中心主任：吕乐！

    胡光凡的声音一落，一位四、五十岁的中年人站了起来。

    他就是吕乐，国内IGBT设计研发行业的资深人士，教授级高工，博士学历，不但有海外留学的经历，也有在跨国公司工作的经历，也是宏达实业的第一位博士。

    这样的牛人，为什么会加入小小的宏达实业呢。

    第一是待遇，胡光凡开出了让他无法抗拒的待遇。第二是发展前景，胡光凡向他描绘了第三代IGBT的让人心动的发展前景。

    设计研发中心副主任两位，分别是管永丰、余庆祝。

    都是四十几岁的年纪，都是教授级高工，都具有丰富的工作经验。

    整个设计研发中心下面设立多个研发小组，各位小组长由吕乐他们三位讨论之后任命，报公司人力资源部备案就可以了。

    任命宣布完毕。

    热烈的掌声又响起来。

    胡光凡抬手往下压了压，掌声停息，他朗声的道，“我们的IGBT设计研发中心成立了，今天晚上团建。”

    声音一落，欢呼声响起来。

    团建这样的好事，每一个人都喜欢。

    然后，胡光凡又抛出一颗重磅炸弹，“明天开始，我带领大家开始第三代IGBT的设计研发。”

    什么！

    老板带领我们搞研发！

    还是第三代IGBT，不可能吧！

    原本热闹的会议室一下子就安静下来，大家目瞪口呆的看着胡光凡，严重以为自己耳朵听错了。

    吕乐也不例外，不解的看着胡光凡。

    胡光凡朗声的道，“你们没有错，今天先放松一下，明天开始正式的设计研发。”

    “散会！”

    胡光凡一行人走出这间大会议室，然后，“轰”的一下整个会议室沸腾了。

    “不会吧，快掐我一下，我是不是在做梦！”

    “老板这么牛批的吗，居然要带领我们搞设计研发！”

    “老板估计太自信了，我们最少都是工程师，很多还是高级工程师！”

    “第三代IGBT，老板肯定是弄错了，第一代IGBT还差不多。”

    “......”

    难怪大家反应这么大。

    这个世界的IGBT技术明显比地球上要滞后很多，主流还是第一代IGBT技术，也就是刚将双极型三极管和绝缘栅型场效应管组合在一起。

    第一代IGBT虽然将两者几乎完美的结合在一起，但还是有一些缺陷。

    第二代IGBT还停留在实验室阶段，一些超级大公司刚开始这一方面的研发，取得了不错的进展，但距离实际大规模应用还有一定的距离。

    胡光凡居然开始第三代IGBT的设计研发，难怪大家的反应这么大。

    沈灵月也有一点不解。

    自从老板说要进入IGBT领域之后，她也恶补了一些这方面的知识，知道第三代IGBT意味着什么。

    她心中想道，肯定是老板搞错了，应该是一代IGBT，或者是第三代双极型三极管，或者是第三代绝缘栅型场效应管。

    即使这样，她对胡光凡越来越好奇了。

    这难道是一个宝藏男孩，既懂企业经营，会赚钱，又懂技术，且还懂IGBT设计研发这样的高端技术。

    胡光凡可没有去管大家怎么去想，回到自己的办公室之后就开始准备明天给大家讲课需要的东西。

    次日。

    胡光凡一上班就出现在了IGBT设计研发团队的大会议室，这个时候，自吕乐一下，五十几名设计研发人员全部到位。

    五十几人，还是有一点少。

    好在都是精英和骨干，基本没有工具人。

    胡光凡心中想道，等再招聘一些精英和骨干设计研发人员，工具人的招聘也要提上日程，起码要陆续招聘三、五百工具人才行。

    工具人的作用就是在精英设计研发人员的带领和指导下绘制设计图纸，干一些技术含量低，工作量大的活。

    大家都目光炯炯的看着胡光凡。

    每一个人很好奇，老板会和大家讲一些什么，真的是IGBT设计研发上的东西吗。

    几乎百分之百的人认为老板不懂IGBT的设计研发，极少数的人认为老板可能懂那么一点点皮毛。

    胡光凡可没有管大家怎么想，声音洪亮，“各位，现在我开始给大家讲第三代IGBT的设计研发。”

    “我们将要设计的是第三代IGBT，而不是二代，更不是第一代......”

    话还没有说完，有一位设计研发人员实在忍不住了，站起来打断道，“老板，可是据我所知，现在各行各业广泛应用是第一代IGBT，第二代IGBT还在研发阶段，没有广泛的大量应用，确定我们真的是开始第三代IGBT的设计研发吗。”

    胡光凡非常肯定的道，“我已经说的很明白，就是第三代IGBT的设计研发，现在我来和大家讲一讲具体的第三代IGBT的具体的设计。”

    说完，将自己准备好的设计图纸挂了出来，展示在大家的面前。

    “我们知道，现在的IGBT主要‘贯通型’的设计结构，硅芯片比较厚，5微米到3微米不等.....”

    简单的说了第一代IGBT之后，胡光凡道，“第三代IGBT采用的是‘非贯通型’的设计结构，采用硅干法刻蚀技术实现的新刻蚀工艺，硅芯片的重直结构也做了很大的改变......”

    大家都是呆呆的！

    这真的是第三代IGBT技术，首先设计理念就发生了翻天覆地的变化，从穿通（PT）型技术先进到非穿通（NPT）型技术，这是重大的概念变化。

    胡光凡讲的非常专业，也非常的详细。

    大家都是这一方面的专业人才，回过神来之后，渐渐的就听懂了，仿佛一扇全新的大门被打开了。

    胡光凡足足讲了一上午，中间只休息了二十分钟。

    一个上午讲完之后，胡光凡什么时候离开的很多人都不知道，他们还沉浸在第三代IGBT的设计上，那些全新的设计结构，全新的设计理念，深深的震撼着他们，久久都未能回过神来。